Description
- タイプ: 半導体レーザー
- 起源: Cn (原点)
- 条件: 新しい
- 最高。 前方流れ: 800mA
- 最高。 前方電圧: not applicable
- 最高。 逆の流れ: not applicable
- 最高。 逆電圧: 2V
- パッケージのタイプ: TO-18, 5.6mm Capless
- Wavelength: 632~644nm
- Storage Temperature: -40~100℃
- Optical Output Power: 500mW
- Thershold Current: 90~210mA
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