Description

浜松 InAs 太陽電池検出器 P10090-01 赤外線検出器 3 μm バンド

低ノイズ、高信頼性赤外線検出器（3μm帯用）

InAs光起電力検出器は、PbS光伝導検出器と同様に3μm付近の赤外領域で高感度を有し、低ノイズ、高速性、高信頼性を備えています。 P10090-01 は非冷却 InAs 光起電力検出器です。

特徴
-低ノイズ
-高い検出力
-高信頼性
-複数要素配列で利用可能 (カスタム製品)

受光面φ1mm
要素数 1
パッケージメタル
冷却 非冷却
カットオフ波長（代表値） 3.65 μm
ピーク感度波長（代表値） 3.35 μm
光感度 (代表値) 1 A/W
検出感度D*(代表値) 4.5×109cm・Hz1/2/W
立ち上がり時間 (代表値) 0.7 μs
測定条件 特に指定のない限りTyp

hamamatsu InAs photovoltaic detector P10090-01 infrared detectors 3 μm band

hamamatsu InAs photovoltaic detector P10090-01 infrared detectors 3 μm band

Low noise, high reliability infrared detectors (for 3 μm band)

InAs photovoltaic detectors have high sensitivity in the infrared region around 3 μm as with PbS photoconductive detectors, and also feature low noise, high speed and high reliability. P10090-01 is a non-cooled InAs photovoltaic detector.

Features
-Low noise
-High detectivity
-High reliability
-Available in multi-element arrays (custom product)

Photosensitive area φ1 mm
Number of elements 1
Package Metal
Cooling Non-cooled
Cutoff wavelength (typ.) 3.65 μm
Peak sensitivity wavelength (typ.) 3.35 μm
Photosensitivity (typ.) 1 A/W
Detectivity D* (typ.) 4.5 × 109 cm・Hz1/2/W
Rise time (typ.) 0.7 μs
Measurement condition Typ., unless otherwise noted