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Sharp半導体レーザ

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780nm半導体レーザーLD GH0780MA4C

(image for) 780nm半導体レーザーLD GH0780MA4C

半導体レーザーダイオード780nm-785nm 200mW 。

原産国：日本

波長：780nm

出力電力：CW200mW

動作電流：<250mA

電圧:2-2.2 V

パッケージ：3.3mm

動作温度：10℃〜+55℃

10,000以上の時間

光ディスク以外用途向け　

応答速度が速い

低消費電力

集光性が良い

光の直進性が良い

小型軽量

単色性に優れている

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399円

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