半導体レーザーダイオードGH0780NA4C

半導体レーザーダイオードGH0780NA4C 780nm 250mW  

 
原産国:日本
波長:780nm
出力電力:CW 200mW
パルスパワー:250mW
動作電流:<140mA
電圧:2-2.2 V
パッケージ:3.3mm
動作温度:10℃〜+55℃
寿命:10,000以上の時間

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295円

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